（首尔路透电）美国对韩国半导体公司在中国生产芯片的豁免，将在今年10月满一周年。一名美国高级官员说，美国在这之后可能限制韩国公司在中国生产先进半导体的水平，以阻止中国科技发展所构成的威胁。

据路透社、韩联社报道，韩国三星电子和SK海力士两家世界领先存储芯片制造商，去年10月获得美国政府为期一年的豁免，可在中国使用美国技术生产先进的内存芯片。

NAND技术限于今水平技术

美国商务部副部长埃斯特维兹（Alan Estevez）星期四（2月23日）在华盛顿智库“战略与国际研究中心”（CSIS）主办的论坛上，被问及豁免结束后会发生什么情况时说，“可能对他们在中国的发展水平设置上限”。

负责监督对华技术出口限制的埃斯特维兹解释，这些公司会被要求将快闪存储器（NAND）技术，停留于目前的堆叠层数或其技术范围内某水平。

埃斯特维兹补充说，美国政府正与韩国的芯片制造商进行深入对话。他说：“我们会与他们合作，确保不会伤害盟友的公司。与此同时，我们将限制中国，防止他们发展对我们构成共同威胁的能力。”

美国政府去年针对半导体公司与中国科技行业的生意往来颁布广泛限制，以阻止中国的科技与军事发展。这些限制措施给海力士和三星电子等在华拥有大量业务的外国公司带来不确定性。